Trợ lý học tập AI - Câu trả lời này chỉ mang tính tham khảo
a.
- Ta có: $V_{BB} = 10V, R_B = 100k\Omega, R_C = 1k\Omega, \beta = 100$
- Tính $I_B$: $I_B = \frac{V_{BB} - V_{BE}}{R_B} = \frac{10 - 0.7}{100k} = 93\mu A$
- Tính $I_C$: $I_C = \beta I_B = 100 * 93\mu A = 9.3mA$
- Tính $I_E$: $I_E = (1 + \beta) I_B = (1 + 100) * 93\mu A = 9.393mA$
b.
- Tính $V_E$: $V_E = I_E * R_E = 9.393mA * 1k\Omega=9.393V$
- Tính $V_C$: $V_C= V_{CC} - I_C*R_C=20 - 9.3*1=10.7V$
- Tính $V_B$: $V_B= V_{BB}-I_BR_B=10-(93*10^{-6}*100000)=0.07$
c.
- Tính $V_{BE}$: với BJT Si, ta có khoảng cách giữa điểm Emitter và Base là khoảng 0.7V
$V_{BE}=0.7 V$
- Tính $V_{CE}$:
$V_{CE}= V_C-V_E=10.7-9.393=1.307$
d.
Đường tải tĩnh làm việc sẽ là đường nối các điểm hoạt động của BJT trên mặt phẳng U-I:
A(0,0), B($l_b$,0), C($l_b$,9,3), D(0,9,3)
Trong đó:
$l_b=\frac{v_b}{r_b}=70m$
FQA.vn Nền tảng kết nối cộng đồng hỗ trợ giải bài tập học sinh trong khối K12. Sản phẩm được phát triển bởi CÔNG TY TNHH CÔNG NGHỆ GIA ĐÌNH (FTECH CO., LTD)
Điện thoại: 1900636019
Email: info@fqa.vn
Địa chỉ: Số 21 Ngõ Giếng, Phố Đông Các, Phường Ô Chợ Dừa, Quận Đống Đa, Thành phố Hà Nội, Việt Nam.